晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制造方法及图像传感器”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制造方法及图像传感器”，专利申请号为CN202411129659.7，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本申请公开半导体结构的制造方法及图像传感器，该制造方法包括：在衬底表面形成第一初始沟槽和开口面积大于第一初始沟槽的第二初始沟槽；在衬底表面沉积隔离层至第一初始沟槽被填满而第二初始沟槽中央留有缝隙；刻蚀隔离层至第二初始沟槽内隔离层被刻蚀掉而第一初始沟槽槽底上留有隔离层；对衬底进行离子注入，以在第二初始沟槽下方衬底中形成埋层；通过第一选择性刻蚀步骤去除第一初始沟槽内留有的隔离层；通过第二选择性刻蚀步骤对第一初始沟槽内衬底进行刻蚀而形成第一沟槽、以及将第二初始沟槽内埋层上衬底去除而形成第二沟槽。本申请中第二沟槽的深度因埋层的存在能被控制为小于第一沟槽，因而实现了不同类型沟槽制造所用光罩的减少。

今年以来晶合集成新获得专利授权273个，较去年同期增加了13.28%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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